Zastosowania związków półprzewodnikowych AIIBVI z dużą przerwą energetyczną w dozymetrii promieniowania jonizującego, we współczesnej optyce i urządzeniach zobrazowania informacji - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Zastosowania związków półprzewodnikowych AIIBVI z dużą przerwą energetyczną w dozymetrii promieniowania jonizującego, we współczesnej optyce i urządzeniach zobrazowania informacji

Download

Title: Zastosowania związków półprzewodnikowych AIIBVI z dużą przerwą energetyczną w dozymetrii promieniowania jonizującego, we współczesnej optyce i urządzeniach zobrazowania informacji

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)

Contributor:

Demianiuk Mieczysław

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 7-39 : il. ; Bibliogr. s. 39

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:18790

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne AIIBVI detektor fotoprzewodzący promieniowanie jonizujące

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jan 16, 2013

Number of object content downloads / hits:

929

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/11810

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Żmija Józef, Zastosowania związków półprzewodnikowych AIIBVI z dużą przerwą energetyczną w dozymetrii promieniowania jonizującego, we współczesnej optyce i urządzeniach zobrazowania informacji	Oct 2, 2020

Objects Similar

Zarodkowanie i wzrost warstw epitaksjalnych = Nucleation and growth of epitaxial layers

Żmija Józef

1977

Text

Badania optyczne monokryształów podwójnej soli siarczanu dwuglicyny i siarczanu amonu = The optical investigation of double of diglycinum sulphate and amonium sulphate crystals

Żmija Józef

1977

Text

Materiały półprzewodnikowe dla przyrządów optoelektronicznych = Semiconductor materials for optoelectronic devices

Pietras Edward

1973

Book/Chapter

Zastosowanie warstw (Cd, Hg) Te do konstrukcji mozaik detektorów fotoprzewodzących = Application of /Cd, Hg/Te thin film structures to fabrication of photoconductive detectors arrays

Piotrowski Józef

1979

Text

Problemy przemysłowej kontroli szczelności obudów elementów półprzewodnikowych za pomocą wykrywacza helowego = Problems met in industrial tightness control of the semiconductor element envlopes by means of helium detector

Taczanowski Andrzej

1973

Text

Helowe wykrywacze nieszczelności. Budowa i zastosowanie = Helium leak detectors

Taczanowski Andrzej

1986

Text

Spis treści. Vol. 45 No. 2-4 [2017]

Materiały Elektroniczne

2017

Book/Chapter

Electronic Materials

2020

Book/Chapter

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information