Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70)
12-25 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 25
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
27 sie 2012
1582
https://rcin.org.pl./publication/26959
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Hruban Andrzej, Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych | 2 paź 2020 |
Hruban Andrzej
Jurisch M.
Jabłoński Ryszard