Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001] = Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001] = Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate

Download

Title: Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001] = Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 4

Publisher:

Place of publishing:

Description:

Bibliogr. s. 31 ; 22-31 s. : il. 30 cm.

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:27757

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic - materials HRXRD ion implantation diffraction

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 14, 2013

Number of object content downloads / hits:

1047

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/17062

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Wójcik Marek, Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]	Oct 2, 2020

Objects Similar

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate

Wójcik Marek

2012

Text

Rozwinięcie i zastosowanie darwinowskiej teorii dyfrakcji promieni rentgenowskich do określania struktury i składu chemicznego kryształów wielowarstwowych = Development and application of Darwin x-ray diffraction theory for structure and chemical composition determination in multilayered crystals

Wójcik Marek

2000

Text

HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions

Wójcik Marek

2016

Text

Analiza rentgenowskiego widma periodycznej supersieci = Analysis of the X-ray intensity spectrum for the periode superlattice

Wójcik Marek

1988

Text

Badanie nieidealnej struktury supersieci (In)GaAs/GaAs(P) za pomocą rentgenowskiej analizy dyfrakcyjnej = The investigation of the non-ideal structure of the GaAs(P)/GaAs superlattice by means of XRD technique

Wójcik Marek

1994

Text

Analiza możliwości zastosowania wysokorozdzielczej dyfraktomaterii rentgenowskiej do badań parametrów strukturalnych warstw epitaksjalnych i supersieci = The possibility of application of high resolution x-ray diffraction for determination the structural parameters of epilayers and superlattices

Sass Jerzy

1994

Text

Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie = The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers

Wójcik Marek

2008

Text

Wpływ obszarów koherentnego rozpraszania w materiałach ze strukturą modulowaną na rentgenowskie widmo dyfrakcyjne. Praca doktorska = Influence of coherent scattering areas in materials with a modulated structure on X-ray diffraction pattern

Wójcik Marek

1997

Book/Chapter

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information