Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Download

Title: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Creator:

Kozubal Michał

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2

Publisher:

Place of publishing:

Description:

104-119 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 118-119

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:5382

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne głębokie centrum defektowe GaN:Si DLTS

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

May 22, 2012

Number of object content downloads / hits:

1268

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/15638

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kozubal Michał, Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)	Oct 2, 2020

Objects Similar

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Kozłowski Roman

1998

Tekst

Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej

Kozubal Michał

2013

Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007

Tekst

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów

Lamperski Jan

1983

Tekst

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2010

Tekst

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Kozubal Michał

2013

Książka/Rozdział

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information