Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Wyszukiwanie zaawansowane
Materiały Elektroniczne 2003 T.31 nr 1/2
7-17 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 17
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
5 gru 2012
305
https://rcin.org.pl./publication/15607
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Jurisch M., The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production | 2 paź 2020 |
Hruban Andrzej
Jabłoński Ryszard