Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Download

Title: Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV

Creator:

Kozłowski Roman

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 1

Contributor:

Kamiński Paweł

Publisher:

Place of publishing:

Description:

7-18 s. : il. ; Bibliogr. s. 17-18

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:17249

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały DLTS głębokie centrum defektowe AIIIBV

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Nov 20, 2012

Number of object content downloads / hits:

456

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/15203

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kozłowski Roman, Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV	Oct 2, 2020

Objects Similar

Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Kozubal Michał

2006

Tekst

Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Kamiński Paweł

2007

Tekst

Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów

Lamperski Jan

1983

Tekst

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990

Kamiński Paweł

1991

Tekst

Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu

Kozłowski Roman

2010

Tekst

Wyznaczanie czasu życia nośników ładunku i poziomów rekombinacyjnych w materiałach wysokorezystywnych poprzez pomiar temperaturowej zależności fotoprądu

Kozłowski Roman

2000

Tekst

Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons

Kamiński Paweł

2010

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information