Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Download

Title: Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC = Manufacturing of B2O3 for crystallization of semiconductor materials by LEC technique

Creator:

Dalecki Wojciech

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 4

Contributor:

Orłowski Wacław ; Gładysz Maria ; Strzelecka Stanisława ; Hruban Andrzej ; Nowysz Karol

Publisher:

Place of publishing:

Description:

23-33 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 32-33

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:16577

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - materials Electronic- materials LEC technique B2O3 AIIIBV

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Nov 8, 2012

Number of object content downloads / hits:

964

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/15188

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Dalecki Wojciech, Trójtlenek boru do krystalizacji materiałów półprzewodnikowych otrzymywanych metodą LEC	Oct 2, 2020

Objects Similar

Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego = The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single

Orłowski Wacław

2009

Text

Przegląd własności fizykochemicznych i technologii otrzymywania trójtlenku boru do celów półprzewodnikowych = Physical and chemical properties and the production methods of boron oxide for semiconductors - a review

Rećko Wacław

1975

Text

Podwójna mikroniejednorodność półprzewodników AIIIBV = Double microunhomogeneity of the semiconductor group AIIIBV

Świderski Jarosław

1976

Text

Związki AIIBVI jako materiały do wytwarzania elementów przepuszczalnych dla podczerwieni = AIIBVI compounds-materials for infra-red window

Piga Witold

1983

Text

Badanie zachowania się arsenu w antymonie w procesie topienia strefowego = Distribution of arsenic in antimony during zone melting process

Dalecki Wojciech

1991

Text

Otrzymywanie i morfologia wzrostu monokryształów związków typu A3IIB2V = Preparationed morphology of single crystals of A3IIB2V compounds

Żdanowicz Witold

1976

Text

Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds

Pawłowska Joanna

2008

Text

Badanie defektów typu 'antisite" w kryształach AIIIBV metodą EPR = Electron Spin resonanc e of AsGa "antisite" defects in crystal type AIIIBV

Jabłoński Ryszard

1986

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information