Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu

Pobierz

Tytuł: Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu

Twórca:

Strzelecka Stanisława

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 2/3

Współtwórca:

Hruban Andrzej ; Gładki Andrzej ; Głasdysz Maria ; Orłowski Wacław

Wydawca:

Miejsce wydania:

Opis:

43-56 s.: il. ; Bibliogr. s. 55-56

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:15351

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały SI GaAs kompensacja domieszkowanie węglem

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

15 paź 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

333

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/14926

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Strzelecka Stanisława, Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Metody charakteryzacji półizolacyjnych monokryształów GaAs

Strzelecka Stanisława

1992

Tekst

Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Tomaszewski, Jacek

1990

Tekst

The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Jurisch M.

2003

Tekst

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami

Jabłoński Ryszard

1988

Tekst

Rentgenograficzne badania półizolacyjnych monokryształów GaAs

Wierzchowski Wojciech

1988

Tekst

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs

Pawłowska Marta

1988

Tekst

Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową

Hruban Andrzej

2012

Tekst

Obrazowanie struktury defektowej kryształów półizolujących GaAs poprzez analizę relaksacyjnych przebiegów fotoprądu z zastosowaniem odwrotnego przekształcenia Laplace'a

Pawłowski Michał

2006

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji