Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4) - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Przejdź do menu głównego
Przejdź do wyszukiwarki
Przejdź do treści
Przejdź do stopki

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4)

Pobierz

Tytuł: Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4)

Twórca:

Pawłowska Marta

Data wydania/powstania:

Typ zasobu:

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1986 nr 4(56)

Współtwórca:

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Opis:

s. 7-8 : il. ; 24 cm.

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

Zeszyt:

Strona pocz.:

Strona końc.:

Szczegółowy typ zasobu:

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:rcin.org.pl:9604

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - material Electronic materials structure perfection heteroepitaxial layer GaAsP

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

2 paź 2020

Data dodania obiektu:

7 sie 2012

Liczba pobrań / odtworzeń:

397

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://rcin.org.pl./publication/12491

Wyświetl opis w formacie RDF:

Wyświetl opis w formacie RDFa:

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Nazwa wydania	Data
Pawłowska Marta, Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4)	2 paź 2020

Obiekty Podobne

Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx

Toruń Jędrzej

1978

Tekst

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985

Tekst

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Kot Waldemar

1977

Tekst

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu

Wosik Jarosław

1986

Tekst

Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny

Roszkiewicz Krzysztof

1981

Tekst

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej

Rupniewski Wojciech

1976

Tekst

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP

Drabik Wojciech

1983

Tekst

Warstwy epitaksjalne GaAs1-xPx dla przyrządów świecących

Brzozowski Waldemar

1974

Tekst

Więcej

Styl cytowania:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji