Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals

Download

Title: Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals

Creator:

Pawłowska Marta

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)

Contributor:

Bukowski Andrzej ; Strzelecka Stanisława

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 15-19 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 19

Relation:

Electronic Materials

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:9501

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Rights Reserved - Free Access

Terms of use:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitizing institution:

Institute of Electronic Materials Technology

Original in:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Projects co-financed by:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Access:

Subject and keywords:

Electronic - journal - material Electronic materials silicon doping single crystal NTD

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Aug 6, 2012

Number of object content downloads / hits:

480

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/12451

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Pawłowska Marta, Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej	Oct 2, 2020

Objects Similar

Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus

Nowysz Karol

1985

Text

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1988

Text

Skaningowy mikroskop elektronowy jako narzędzie badań w technologii materiałów pomocniczych i elementów półprzewodnikowych = Scaning electron microscape in an application to the technological testing of materials and elements used in electronics

Pawłowska Marta

1974

Text

Widmo EPR transmutowanego krzemu = EPR spectra in neutron-irradiated silicon

Jabłoński Ryszard

1984

Text

Defekty strukturalne w monokryształach GaAs o niskiej gęstości dyslokacji = Structural defects in low-dislocation GaAs single crystals

Pawłowska Marta

1988

Text

Badanie doskonałości struktury monokryształów GaAs o obniżonej gęstości dyslokacji = The investigation of low dislocation GaAs single crystals perfection

Pawłowska Marta

1990

Text

Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers

Pawłowska Marta

1995

Text

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4) = Influence of substrates defect structure on the structure perfection of heteroepitaxial layers GaAs1-xPx/GaAs(x=0.4)

Pawłowska Marta

1987

Text

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information