Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP

Download

Title: Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP

Creator:

Drabik Wojciech

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1982 nr 4(40)

Contributor:

Ganczarek Mieczysława

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 31-[36] : il.

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:6663

Source:

click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały Materiały elektroniczne heterostruktura GaAsP GaAs TEM

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Jun 22, 2012

Number of object content downloads / hits:

4229

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/12241

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Drabik Wojciech, Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP	Oct 2, 2020

Objects Similar

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej

Rupniewski Wojciech

1976

Tekst

Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx

Toruń Jędrzej

1978

Tekst

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985

Tekst

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Kot Waldemar

1977

Tekst

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu

Wosik Jarosław

1986

Tekst

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4)

Pawłowska Marta

1987

Tekst

Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny

Roszkiewicz Krzysztof

1981

Tekst

Warstwy epitaksjalne GaAs1-xPx dla przyrządów świecących

Brzozowski Waldemar

1974

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information