Materiały Elektroniczne 1982 nr 2(38)
Włosiński Władysław K. ; Sobczyńska Dorota ; Torbicz Władysław
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
s. 28-34 : il. ; Bibliogr. s. 34
ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
2 paź 2020
20 cze 2012
1163
https://rcin.org.pl./publication/12227
Nazwa wydania | Data |
---|---|
Olszyna Andrzej R, Nowe materiały dilektryczne do półprzewodnikowych przetworników jonoczułych typu ISFET | 2 paź 2020 |
Stoch Agata
Baran J.W