Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs - Digital Repository of Scientific Institutes

Skip to main menu
Skip to search engine
Skip to content
Skip to footer

Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Download

Title: Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs

Creator:

Date issued/created:

Resource type:

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)

Contributor:

Strzelecka Stanisława ; Nowysz Karol

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Description:

s. 7-[15] : il. ; Bibliogr. s. [15]

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

Issue:

Start page:

End page:

Detailed Resource Type:

Format:

24 cm. ; application/pdf

Resource Identifier:

oai:rcin.org.pl:26996

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Subject and keywords:

Materiały elektroniczne Elektronika - czasopismo - materiały warstwa epitaksjalna parametr elektryczny GaAsP

Object collections:

Last modified:

Oct 2, 2020

In our library since:

Apr 16, 2013

Number of object content downloads / hits:

513

All available object's versions:

https://rcin.org.pl./publication/11037

Show description in RDF format:

Show description in RDFa format:

Show description in OAI-PMH format:

MATERIAŁY ELEKTRONICZNE

Edition name	Date
Kot Waldemar, Określenie parametrów elektrycznych epitaksjalnych warstw arsenofosforku galu osadzonych na podłożach GaAs	Oct 2, 2020

Objects Similar

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Kamiński Paweł

1985

Tekst

Warstwy epitaksjalne GaAs1-xPx dla przyrządów świecących

Brzozowski Waldemar

1974

Tekst

Prześwietleniowa mikroskopia elektronowa heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx

Toruń Jędrzej

1978

Tekst

Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu

Wosik Jarosław

1986

Tekst

Wpływ defektów strukturalnych podłoża na doskonałość strukturalną heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs (x=0,4)

Pawłowska Marta

1987

Tekst

Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny

Roszkiewicz Krzysztof

1981

Tekst

Badania heteroepitaksjalnych warstw GaAs1-xPx/GaAs za pomocą prześwietleniowej mikroskopii elektronowej

Rupniewski Wojciech

1976

Tekst

Przygotowanie preparatów dla celów prześwietleniowej mikroskopii elektronowej z warstw heteroepitaksjalnych GaAs1-xPx/GaAs i z monokryształów InP

Drabik Wojciech

1983

Tekst

More

Citation style:

iso690-author-date apa modern-language-association chicago-author-date

This page uses 'cookies'. More information