Tytuł:

Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2

Twórca:

Orłowski Wacław

Współtwórca:

Mirowska Aleksandra ; Hruban Andrzej ; Strzelecka Stanisława

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

2010

Opis:

9-19 s. : il. 30 cm. ; Bibliogr. s. 19

Temat i słowa kluczowe:

GaP ; LEC method ; crystal growth ; Electronic - materials ; Electronic - journal - materials

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

38

Zeszyt:

2

Strona pocz.:

9

Strona końc.:

19

Typ zasobu:

Text

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Open