Tytuł:

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 2/3

Twórca:

Strzelecka Stanisława

Współtwórca:

Hruban Andrzej ; Gładki Andrzej ; Głasdysz Maria ; Orłowski Wacław

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1996

Opis:

43-56 s.: il. ; Bibliogr. s. 55-56

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne ; Elektronika - czasopismo - materiały ; SI GaAs ; kompensacja ; domieszkowanie węglem

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

24

Zeszyt:

2/3

Strona pocz.:

43

Strona końc.:

56

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty