Title:

Wpływ na własności półizolacyjnych monokryształów arsenku galu

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 2/3

Creator:

Strzelecka Stanisława

Contributor:

Hruban Andrzej ; Gładki Andrzej ; Głasdysz Maria ; Orłowski Wacław

Publisher:

ITME

Place of publishing:

Warszawa

Date issued/created:

1996

Description:

43-56 s.: il. ; Bibliogr. s. 55-56

Subject and Keywords:

Materiały elektroniczne ; Elektronika - czasopismo - materiały ; SI GaAs ; kompensacja ; domieszkowanie węglem

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

24

Issue:

2/3

Start page:

43

End page:

56

Resource type:

Tekst

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Otwarty