Title:

Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4

Creator:

Kamiński Paweł

Contributor:

Dobrzański Lech ; Kozłowski Roman

Publisher:

ITME

Place of publishing:

Warszawa

Date issued/created:

1993

Description:

9-27 s. : il. ; Bibliogr. s. 25-27

Subject and Keywords:

Materiały elektroniczne ; Elektronika - czasopismo - materiały ; głębokie centrum defektowe ; GaAs ; MESFET

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

21

Issue:

4

Start page:

9

End page:

27

Resource type:

Tekst

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Otwarty