Tytuł:

Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)

Twórca:

Kamiński Paweł

Współtwórca:

Surma Barbara ; Strzelecka, Stanisława.

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1985

Opis:

s. 16-22 : il. ; 24 cm. ; Bibliogr. s. 22

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - journal - material ; Electronic materials ; epitaxial layers ; defect center ; GaAsP

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

50

Zeszyt:

2

Strona pocz.:

16

Strona końc.:

22

Typ zasobu:

Text

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Open