Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms