Tytuł:

Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1973 nr 1

Twórca:

Brzozowski Waldemar

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1973

Opis:

s. 9-14 : il. ; Bibliogr. s. 14

Typ obiektu:

Książka/Rozdział

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały ; Materialy elektroniczne ; GaAs ; CVD ; warstwa epitaksjalna

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Zeszyt:

1

Strona pocz.:

9

Strona końc.:

14

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Źródło:

click here to follow the link

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty