Title:

Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG

Subtitle:

Materiały Elektroniczne. T.43 Nr 2

Creator:

Raczkiewicz Marcin

Contributor:

Tymicki Emil ; Łukasiewicz Tadeusz

Publisher:

ITME

Place of publishing:

Warszawa

Date issued/created:

2015

Description:

Bibliogr. s.: 11 ; s.: 4-11 il. 30 cm.

Subject and Keywords:

polityp 3C ; SiC ; wzrost z roztworu

Relation:

Materiały Elektroniczne T. 43 Nr 2 2015

Volume:

43

Issue:

2

Start page:

4

End page:

11

Resource type:

Tekst

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

application/pdf

Source:

click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego ; Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R

Access:

Otwarty