Title:

Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1

Creator:

Kozubal Michał

Publisher:

ITME

Place of publishing:

Warszawa

Date issued/created:

2013

Description:

3-9 s. : il. 30 cm

Type of object:

Książka/Rozdział

Subject and Keywords:

defekty punktowe ; głębokie pułapki ; napromieniowanie elektronami ; SiC ; DLTS

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

41

Issue:

1

Start page:

3

End page:

9

Resource type:

Tekst

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

application/pdf

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Otwarty