Tytuł:

Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska

Inny tytuł:

Praca doktorska.

Twórca:

Tymicki Emil

Współtwórca:

Grasza, Krzysztof : Promotor

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

2011

Opis:

135 s. il. ; 30 cm ; Bibliogr. 119-135

Temat i słowa kluczowe:

4H-SiC ; 6H-SiC ; PVT

Czasopismo/Seria/cykl:

Prace doktorskie

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Praca doktorska

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. P/2370 ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty