Tytuł:

Półizolacyjny arsenek galu (SI-GaAs) dla tranzystorów polowych i układów scalonych = Semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs) for MESFET's and integrated circuits

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70)

Twórca:

Hruban Andrzej

Wydawca:

Wydaw. Przemysłowe WEMA

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1990

Opis:

12-25 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 25

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - materials ; Electronic - journal - material ; Si-GaAs ; MESFET ; integrated circuit

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

70

Zeszyt:

2

Strona pocz.:

12

Strona końc.:

25

Typ zasobu:

Text

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Open