Title:

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4

Creator:

Jasik Agata

Contributor:

Strupiński Włodzimierz ; Kosiel Kamil

Publisher:

ITME

Place of publishing:

Warszawa

Date issued/created:

1998

Description:

47-58 s. : il. ; Bibliogr. s. 57-58

Subject and Keywords:

Elektronika - czasopismo - materiały ; Materiały elektroniczne ; heterostruktura ; MOVPE ; InP/InGaAs

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

26

Issue:

3/4

Start page:

47

End page:

58

Resource type:

Tekst

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Otwarty