Tytuł:

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4

Twórca:

Jasik Agata

Współtwórca:

Strupiński Włodzimierz ; Kosiel Kamil

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1998

Opis:

47-58 s. : il. ; Bibliogr. s. 57-58

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały ; Materiały elektroniczne ; heterostruktura ; MOVPE ; InP/InGaAs

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

26

Zeszyt:

3/4

Strona pocz.:

47

Strona końc.:

58

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty