Tytuł:

Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4

Twórca:

Jasik Agata

Współtwórca:

Strupiński Włodzimierz ; Kosiel Kamil

Wydawca:

ITME

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1998

Opis:

47-58 s. : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 57-58

Temat i słowa kluczowe:

heterostructure ; MOVPE ; In/InGaAs ; Electronic - materials ; Electronic - journal - materials

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

26

Zeszyt:

3/4

Strona pocz.:

47

Strona końc.:

58

Typ zasobu:

Text

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Open