Title:

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami

Subtitle:

Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)

Creator:

Jabłoński Ryszard

Contributor:

Palczewska Maria ; Orłowski Wacław ; Hruban Andrzej ; Nowysz Karol

Publisher:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Place of publishing:

Warszawa

Date issued/created:

1988

Description:

s. 21-26 : il. ; Bibliogr. s. 26

Subject and Keywords:

Materiały elektroniczne ; Elektronika - czasopismo - materiały ; ESR ; SI GaAs ; SI Ing

Relation:

Materiały Elektroniczne

Volume:

63

Issue:

3

Start page:

21

End page:

26

Resource type:

Tekst

Detailed Resource Type:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Source:

ITME, sygn. dostępny ; click here to follow the link

Language:

pol

Rights:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Terms of use:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitizing institution:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Original in:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Projects co-financed by:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Access:

Otwarty