Tytuł:

Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)

Twórca:

Jabłoński Ryszard

Współtwórca:

Palczewska Maria ; Orłowski Wacław ; Hruban Andrzej ; Nowysz Karol

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1988

Opis:

s. 21-26 : il. ; Bibliogr. s. 26

Temat i słowa kluczowe:

Materiały elektroniczne ; Elektronika - czasopismo - materiały ; ESR ; SI GaAs ; SI Ing

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

63

Zeszyt:

3

Strona pocz.:

21

Strona końc.:

26

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty