Tytuł:

Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)

Twórca:

Kamiński Paweł

Współtwórca:

Sroczyński Paweł ; Surma Barbara

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1986

Opis:

s. 7-14 : il. ; Bibliogr. s. 14

Temat i słowa kluczowe:

Elektronika - czasopismo - materiały ; Materiały elektroniczne ; gęstość dyslokacji ; defekt ; warstwa epitaksjalna

Czasopismo/Seria/cykl:

Materiały Elektroniczne

Tom:

53

Zeszyt:

1

Strona pocz.:

7

Strona końc.:

14

Typ zasobu:

Tekst

Szczegółowy typ zasobu:

Artykuł

Format:

24 cm. ; application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony

Zasady wykorzystania:

Zasób chroniony prawem autorskim. Korzystanie dozwolone w zakresie określonym przez przepisy o dozwolonym użytku.

Digitalizacja:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Lokalizacja oryginału:

Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych

Dofinansowane ze środków:

Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego

Dostęp:

Otwarty