Język metadanych
Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny
Inny tytuł:Materiały Elektroniczne 1980 nr 1(29)
Twórca: Współtwórca: Wydawca:Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Miejsce wydania: Data wydania/powstania: Opis:s. 7-21 : il. ; Bibliogr. s. 21
Temat i słowa kluczowe:Elektronika - czasopismo - materiały ; Materiały elektroniczne ; koncentracja fosforu ; GaAsP ; efekt fotowoltaiczny
Czasopismo/Seria/cykl: Tom: Zeszyt: Strona pocz.: Strona końc.: Typ zasobu: Szczegółowy typ zasobu: Format: Źródło:ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść
Język: Prawa:Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Zasady wykorzystania: Digitalizacja:Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Lokalizacja oryginału:Biblioteka Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych
Dofinansowane ze środków:Program Operacyjny Innowacyjna Gospodarka, lata 2010-2014, Priorytet 2. Infrastruktura strefy B + R ; Unia Europejska. Europejski Fundusz Rozwoju Regionalnego
Dostęp: