Tytuł:

Wyznaczanie wewnętrznej sprawności kwantowej rekombinacji promienistej w monokrystaliczny GaAs z pomiarów fotoluminescencji heterostruktur GaAs-AlxGa1-xAs = Determination of internal quantum efficiency of radiative recombination in GaAs single crystals from photoluminescence measurements of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructures

Inny tytuł:

Materiały Elektroniczne 1976 nr 3(15)

Twórca:

Bugajski Maciej ; Jagoda Andrzej ; Szymański Leszek

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego WEMA

Miejsce wydania:

Warszawa

Data wydania/powstania:

1976

Opis:

s. 12-19 : il. 24 cm. ; Bibliogr. s. 19

Temat i słowa kluczowe:

Electronic - materials ; Electronic - journal - materials ; internal quantum efficiency ; heterostructure ; GaAs ; AlGaAs ; photoluminescence

Czasopismo/Seria/cykl:

Electronic Materials

Tom:

15

Zeszyt:

3

Strona pocz.:

12

Strona końc.:

19

Typ zasobu:

Text

Szczegółowy typ zasobu:

Article

Format:

application/pdf

Źródło:

ITME, sygn. dostępny ; kliknij tutaj, żeby przejść

Język:

pol

Prawa:

Rights Reserved - Free Access

Zasady wykorzystania:

Copyright-protected material. May be used within the limits of statutory user freedoms

Digitalizacja:

Institute of Electronic Materials Technology

Lokalizacja oryginału:

Library of the Electronic Materials Technology Institute

Dofinansowane ze środków:

Programme Innovative Economy, 2010-2014, Priority Axis 2. R&D infrastructure ; European Union. European Regional Development Fund

Dostęp:

Open