@misc{Lenkiewicz_D._Wpływ_2007,
 author={Lenkiewicz D.},
 volume={35},
 number={3/4},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 journal={Electronic Materials},
 address={Warszawa},
 howpublished={online},
 year={2007},
 publisher={ITME},
 language={pol},
 title={Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIL na właściwości GaN osadzonego na podłożach szafirowych = The effect of implementation of high-temperature AlN nucleation layer on properties of GaN grown on sapphire substrates},
 type={Text},
 URL={http://rcin.org.pl./Content/6750/PDF/WA901_15941_M1-r2007-t35-z3-4_Mater-Elektroniczne_Lenkiewicz_ii.pdf},
 keywords={Electronic - journal - materials, Electronic- materials, heterostructure, GaN, sapphire},
}