@misc{Nossarzewska-Orłowska_Elżbieta_Generacja_1995,
 author={Nossarzewska-Orłowska Elżbieta},
 volume={23},
 editor={Wodzińska Halina},
 editor={Skwarcz Jerzy},
 editor={Tkaczuk Andrzej},
 editor={Zielińska Teresa},
 editor={Nowotniak Helena},
 number={4},
 copyright={Rights Reserved - Free Access},
 journal={Electronic Materials},
 address={Warszawa},
 howpublished={online},
 year={1995},
 publisher={ITME},
 language={pol},
 title={Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process},
 type={Text},
 URL={http://rcin.org.pl./Content/15121/PDF/WA901_14912_M1_r1995-t23-z4_Mater-Elektroniczne_Nossarzewska_i.pdf},
 keywords={Electronic - materials, Electronic - journal - materials, doslocation slip, silicon epitaxy, silicon wafer},
}